Samsung Foundry ประกาศเดินหน้าเริ่มการผลิตชิปประมวลผลขนาด 3nm ล็อตใหญ่ โดยใช้สถาปัตยกรรมทรานซิสเตอร์ Gate-All-Around (GAA) ที่เป็นเทคโนโลยีการผลิตที่ถัดมาจาก FinFET
ตามข้อมูลเปิดเผยว่าชิป 3nm รุ่นแรกของ Samsung เมื่อเทียบกับชิป 5nm โดยให้ประสิทธิภาพสูงขึ้น 23% ลดการใช้พลังงานได้ถึง 45% และมีพื้นที่ผิวลดลง 16%
โหนดการผลิต 3nm ที่เป็นรุ่นที่ 2 ของ Samsung จะยิ่งสร้างความน่าประทับใจมากยิ่งขึ้นเมื่อเทียบกับ 5nm โดยที่ค่ายเคลมว่าจะลดการใช้พลังงานได้มากถึง 50%, มีการปรับปรุงประสิทธิภาพเพิ่มขึ้น 30% และลดพื้นที่ลง 35%
สำหรับการเริ่มต้นผลิตชิป 3nm ของ Samsung เรียกว่าแซงหน้า TSMC ซึ่งประกาศจะเริ่มต้นการผลิตในช่วงครึ่งหลังของปีนี้
SAMSUNG กางโรดแมปธุรกิจชิปเซต คาดว่าชิป 3NM ตัวแรกมาในครึ่งปีแรกของปี 2022
