ฮอตเกิน!? เผยชิป Snapdragon 8 Elite อุณหภูมิอาจพุ่ง 98.5°C แม้จะใช้งานแบบปกติ

โดย RingRangRung | 11 ตุลาคม 2567 เมื่อ 14:00 น. | อ่าน 533

หลังจาก MediaTek Dimensity 9400 เปิดตัวอย่างเป็นทางการ ตอนนี้ทุกสายตาต่างจับจ้องไปที่ฝั่งคู่แข่งอย่าง Qualcomm ที่กำลังจะเปิดตัว Snapdragon 8 Elite ซึ่งเป็นชิปเซ็ตระดับพรีเมียมตัวใหม่ของแบรนด์

จากข่าวลือที่ผ่านมาชี้ให้เห็นว่าชิปใหม่ Qualcomm ตัวนี้มีประสิทธิภาพที่น่าประทับใจ ด้วยความเร็วของคอร์หลักที่สูงกว่า 4GHz อย่างไรก็ตาม พลังงานดิบนี้จาก Qualcomm อาจต้องแลกมาด้วยต้นทุนที่สูงมาก ทั้งในแง่ของการสร้างความร้อนและอายุการใช้งานแบตเตอรี่

ในช่วงสัปดาห์ที่ผ่านมา เราได้เห็นคะแนนทดสอบสำหรับชิป Snapdragon 8 Elite สามรุ่น โดยรุ่นมาตรฐานดูเหมือนจะมีความถี่พื้นฐานที่ 2.78GHz และสูงสุดที่ 4.09GHz ขณะที่ Samsung กำลังทดสอบเวอร์ชันโอเวอร์คล็อกสองเวอร์ชันสำหรับ Galaxy S25 Series ด้วยความเร็วที่สูงถึง 2.90GHz/4.19GHz และ 3.53GHz/4.47GHz เรียกว่าเป็นกำลังประมวลผลระดับเดสก์ท็อปที่อยู่บนสมาร์ทโฟน

อย่างไรก็ตามในกรณีที่ข่าวลือดังกล่าวเป็นจริงตัวเลขเหล่านี้อาจก่อให้เกิดปัญหามากกว่าประโยชน์ แม้แต่ชิป Snapdragon 8 Elite รุ่นมาตรฐานก็อาจประสบปัญหาในการจัดการความร้อนและประสิทธิภาพแบตเตอรี่

ตามรายงานระบุว่า ชิปใช้พลังงานมากกว่า 20W และอาจทำให้มีอุณหภูมิที่ร้อนจัดถึง 98.5°C (209.5°F) แม้จะเป็นการใช้งานปกติ โดยที่ในรายงานระบุว่าไม่มีการลดความถี่ใด ๆ ที่สามารถลดการใช้พลังงานหรือทำให้ชิปเย็นลงได้

สิ่งที่น่ากังวลเป็นพิเศษคือการรั่วไหลนี้มาจาก “เวอร์ชันทางการ” ของชิป แม้ว่าจะเป็นข้อมูลของเวอร์ชันเมื่อ 3 เดือนก่อนก็ตาม ซึ่งการใช้พลังงานสูงนี้อาจอธิบายได้ว่าทำไมแบรนด์ต่างๆ จึงคาดว่าจะใช้แบตเตอรี่ขนาด 6000mAh ขึ้นไป กับสมาร์ทโฟนเรือธงที่ใช้ชิปนี้

อย่างไรก็ตาม ยังมีความหวังอยู่บ้างว่าในช่วง 3 เดือน จะเป็นช่วงที่สำคัญในการพัฒนา และ Qualcomm อาจมีการทำงานอย่างหนักในการปรับแต่งชิป เพื่อแก้ไขปัญหาความร้อนและพลังงานก่อนเปิดตัวอย่างเป็นทางการในปลายเดือนนี้

ลือ Redmi K80 Pro มาพร้อม Snapdragon 8 Elite, แบต 6000mAh และชาร์จไร้สาย

ที่มา: gizmochina.com, tieba.baidu.com

About Author

RingRangRung

RingRangRung

Partners