SK Hynix ผู้ผลิตหน่วยความจำชั้นนำ ประกาศเปิดตัวหน่วยความจำ UFS 4.1 TLC NAND แบบ 321-layer ซึ่งเป็นหน่วยความจำ NAND รุ่นแรกของโลกสำหรับสมาร์ทโฟน โดยหน่วยความจำรุ่นใหม่นี้มีความเร็วสูงกว่า มีประสิทธิภาพมากขึ้น และบางลง เหมาะสำหรับสมาร์ทโฟนรุ่นใหม่ที่เน้นดีไซน์บางเฉียบและรองรับการใช้งานด้าน AI
เมื่อเทียบกับรุ่นก่อนหน้าที่ใช้ดีไซน์ 238-layer ตั้งแต่ปี 2022 หน่วยความจำ UFS 4.1 รุ่น 321-layer นี้มีความเร็วในการอ่านแบบสุ่ม (Random read) สูงขึ้น 15% และความเร็วในการเขียนแบบสุ่ม (Random write) สูงขึ้น 40% สำหรับความเร็วในการอ่านต่อเนื่อง (Sequential read) สามารถทำได้สูงสุดที่ 4.3GB/s ซึ่งเป็นขีดจำกัดสูงสุดของอินเทอร์เฟซ
นอกจากนี้ ตัวแพ็กเกจของ NAND มีความหนาเพียง 0.85 มม. ลดลงจากรุ่นก่อนหน้าที่หนา 1 มม. ถึงแม้จะดูเป็นความแตกต่างเล็กน้อย แต่ก็มีความสำคัญอย่างมากสำหรับสมาร์ทโฟนที่เน้นความบาง เช่น Galaxy S25 Edge
หน่วยความจำรุ่นใหม่นี้ยังประหยัดพลังงานมากขึ้น 7% เมื่อเทียบกับรุ่นก่อนหน้า ซึ่งช่วยลดความร้อนและเพิ่มประสิทธิภาพการทำงาน ซึ่งเป็นเทรนด์ที่ได้รับความนิยมอย่างต่อเนื่องในวงการเทคโนโลยี
SK Hynix ระบุว่าความเร็วในการอ่านต่อเนื่องที่สูงขึ้นจะช่วยเพิ่มประสิทธิภาพการทำงานของ AI บนอุปกรณ์ โดยเฉพาะการโหลดโมเดล AI ไปยัง RAM ส่วนประสิทธิภาพการอ่านและเขียนแบบสุ่มที่เพิ่มขึ้นจะช่วยให้การทำงานแบบมัลติทาสกิ้งลื่นไหลยิ่งขึ้น
หน่วยความจำ UFS 4.1 321-layer จะมีให้เลือกในสองความจุ ได้แก่ 512GB และ 1TB ไม่มีรุ่น 256GB โดยคาดว่า SK Hynix จะได้รับคำสั่งซื้อจากผู้ผลิตสมาร์ทโฟนภายในปีนี้ และจะเริ่มส่งมอบหน่วยความจำในปริมาณมากภายในไตรมาสแรกของปี 2026
SK Hynix เตรียมผลิต ZUFS 4.0 NAND ใน Q3/24 เผยหน่วยความจำใหม่นี้ …
รวบตัวอดีตพนักงาน SK Hynix หลังถูกกล่าวหาว่าแอบขโมยเทคโนโลยีชิปไป …
