Samsung ประกาศเปิดตัวชิปหน่วยความจำ LPDDR5X DRAM รุ่นใหม่ ที่มีความบางที่สุดในกลุ่มโปรดักซ์ประเภทเดียวกัน โดยเป็นชิปหน่วยความจำขนาด 12 นาโนเมตร ซึ่งมีให้เลือกในแพ็คเกจ 12GB และ 16GB
ชิปหน่วยความจำได้รับการออกแบบมาสำหรับตลาด RAM พลังงานต่ำ โดยส่วนใหญ่โฟกัสไปที่สมาร์ทโฟนที่มีความสามารถในการประมวลผลด้าน AI บนอุปกรณ์ โดยชิปใหม่บาง 0.65 มิลลิเมตร บางกว่ารุ่นก่อนหน้า 9% และได้รับการประเมินว่าจะช่วยให้ระบายความร้อนได้ดีขึ้น 21.2%
Samsung สร้างชิปใหม่โดยการปรับแต่งเทคนิคการพิมพ์วงจรพิมพ์ (PCB : Printed Circuit Board) และเทคนิคการขึ้นรูปอีพ็อกซี่ ทำให้ความหนาของ LPDDR5X มีขนาดเท่าเล็บ โดยสร้างขึ้นในโครงสร้าง 4 ชั้น โดยที่แต่ละชั้นประกอบด้วย LPDDR DRAM 2 ตัว
Samsung กำลังจัดส่งชิปใหม่ไปยังฝั่งผู้ผลิตแล้ว เนื่องจากความต้องการโซลูชันหน่วยความจำมือถือประสิทธิภาพสูงและความหนาแน่นเพิ่มมากขึ้น โดยที่บริษัทวางแผนที่จะพัฒนาโมดูล 6 ชั้น 24GB และ 8 ชั้น 32GB ในแพ็คเกจที่บางที่สุดสำหรับอุปกรณ์รุ่นต่อไปในอนาคต
คาด vivo X100 Series เปิดตัวพร้อม LPDDR5T DRAM ที่ทำงานได้ไวกว่า LPDDR5X ถึง 12.5%
