Samsung Electronics ประกาศความสำเร็จครั้งแรกในอุตสาหกรรมด้วยการพัฒนาชิปหน่วยความจำแฟลชรุ่นถัดไปภายใต้มาตรฐาน UFS 5.0 (Universal Flash Storage 5.0) ซึ่งถูกออกแบบมาเพื่อรองรับการเปลี่ยนผ่านของระบบปัญญาประดิษฐ์จากคลาวด์ลงสู่ตัวอุปกรณ์ หรือ On-Device AI โดยเฉพาะ
ชิปความจำ UFS 5.0 ชูจุดเด่นด้วยความเร็วในการรับ-ส่งข้อมูลที่เพิ่มขึ้นสูงสุดถึงสองเท่าเมื่อเทียบกับโซลูชัน UFS 4.1 ในปัจจุบัน พร้อมช่วยลดอัตราความหน่วง (Latency) และยกระดับการตอบสนองของโมเดลภาษาขนาดใหญ่ (LLMs) บนสมาร์ทโฟนและอุปกรณ์พกพาให้ลื่นไหลอย่างมีนัยสำคัญ
สถาปัตยกรรมชิปหน่วยความจำ UFS 5.0 รุ่นใหม่นี้ ได้รับการพัฒนาขึ้นบนพื้นฐานข้อกำหนดอินเทอร์เฟซตัวล่าสุดจากองค์กรกำหนดมาตรฐาน JEDEC โดยสามารถทำความเร็วในการอ่านข้อมูลแบบลำดับ (Sequential Read) ได้สูงสุดถึง 10.8 GB/s และทำความเร็วในการเขียนข้อมูลแบบลำดับ (Sequential Write) ได้สูงสุดถึง 9.5 GB/s
ประสิทธิภาพดังกล่าวคิดเป็นความเร็วที่ก้าวล้ำกว่ามาตรฐานความจำระดับเรือธงในปัจจุบันอย่าง UFS 4.1 ถึงเท่าตัว ส่งผลให้โครงสร้างหน่วยความจำชนิดนี้มีขีดความสามารถเทียบชั้นได้กับฮาร์ดแวร์ระบบจัดเก็บข้อมูลแบบ SSD บนคอมพิวเตอร์แล็ปท็อปประสิทธิภาพสูง
นอกเหนือจากการยกระดับทางด้านความเร็วในการประมวลผลข้อมูลแล้ว แฟลชเมมโมรี่ UFS 5.0 ของ Samsung ยังมาพร้อมการปรับปรุงมิติด้านการบริหารพลังงาน โดยตัวชิปมีความประหยัดพลังงานเพิ่มขึ้นมากกว่า 40% เมื่อเปรียบเทียบกับรุ่น UFS 4.1 ด้วยการนำนวัตกรรมควบคุมสัญญาณนาฬิกา (Clock Gating) และเทคโนโลยีมัลติแรงดันไฟฟ้า (Multi-voltage Technologies) เข้ามาปรับใช้ ซึ่งจะช่วยลดปริมาณการใช้พลังงานในขณะที่มีการรับส่งข้อมูลจำนวนมหาศาล และส่งผลดีโดยตรงต่อการยืดอายุการใช้งานแบตเตอรี่ของสมาร์ทโฟนยุคใหม่
ในแง่ของโครงสร้างสถาปัตยกรรมภายนอก Samsung สามารถออกแบบและย่อขนาดแพ็กเกจของชิป UFS 5.0 ให้มีมิติเพียง 7.5mm x 13mm x 0.9mm ซึ่งส่งผลให้ตัวชิปมีขนาดที่เล็กลงกว่าเจนเนอเรชันก่อนหน้าถึง 16.7% การลดขนาดในส่วนนี้จะช่วยเพิ่มความยืดหยุ่นให้แก่บรรดาผู้ผลิตสมาร์ทโฟนและอุปกรณ์ฮาร์ดแวร์ต่างๆ ในการจัดสรรพื้นที่ใช้สอยภายในตัวเครื่องสำหรับการติดตั้งชิ้นส่วนอื่นๆ เช่น ระบบระบายความร้อน หรือโมดูลกล้องถ่ายภาพ โดยชิปรุ่นใหม่นี้จะครอบคลุมตลาดทั้งกลุ่มสมาร์ทโฟนระดับเรือธง, อุปกรณ์สวมใส่อัจฉริยะ และอุปกรณ์เฮดเซ็ต Extended Reality (XR)
ทั้งนี้ Samsung มีกำหนดการที่จะเริ่มเดินสายพานการผลิตจำนวนมาก (Mass Production) สำหรับชิปหน่วยความจำ UFS 5.0 ภายในช่วงไตรมาสที่ 4 ของปีนี้ โดยจะเปิดตัวออกมาให้เลือกใช้งานในหลากหลายขนาดความจุ ซึ่งจะมีขนาดความจุสูงสุดอยู่ที่ระดับ 1TB และคาดการณ์ว่าเราอาจจะได้เห็นเทคโนโลยีหน่วยความจำสุดทรงพลังนี้เริ่มนำมาติดตั้งใช้งานจริงในสมาร์ทโฟนระดับแฟล็กชิปโมเดลใหม่ๆ ในช่วงปลายปีนี้หรือช่วงต้นปีหน้าเป็นต้นไป
รีวิว Samsung Galaxy A07 5G แบตใหญ่จุใจ ใช้นาน ทนทาน ได้อัปเดตยาว …
พรีวิว Samsung Galaxy A57 | A37 5G สเปกแรง แถมพี่ใหญ่มีกล้อง Ultra …
พรีวิว Samsung Galaxy S26 Series นิยามใหม่แห่ง AI Phone พร้อมจอกัน …
