จากรายงานต่อไปนี้ใครที่กำลังตั้งตารอชมผลงานใหม่ของ Qualcomm กับชิปเซ็ตเรือธงในปี 2016 นั้นอาจจะต้องลุ้นใจตุ้มๆ ต่อมๆ หายใจกันไม่ทั่วท้องอีกครั้ง โดยอ้างอิงการเปิดเผยของสำนักข่าว Business Korea นั้นระบุว่าทาง Snapdragon 820 ยังอาจจะต้องเผชิญกับปัญหาความร้อนสะสมคล้ายๆ กับปัญหาที่เกิดขึ้นกับ Snapdragon 810 ไปอีกหนึ่งปี แม้ว่าในครั้งนี้พวกเขาจะลดเทคโนโลยีขนาดการผลิตจาก 20 นาโนเมตร ไปเหลือเป็น 14 นาโนเมตร FinFET ที่มีข่าวลือด้วยอีกว่าจะรอกระบวนการผลิตในรุ่นที่สอง ซึ่งจะทำประสิทธิภาพออกมาได้สูงกว่าชิป 14 นาโนเมตร ที่ทาง Samsung ผลิตใช้งานกับรุ่น Exynos 7420 ในปีนี้
ในเบื้องต้นของช่วงระหว่างการพัฒนาอุปกรณ์เป็นการภายในมีการเปิดเผยว่า Samsung ที่ทำงานกับชิปเซ็ตรุ่นใหม่สำหรับเครื่อง Galaxy S7 นี้จะใช้การแก้ไขด้วยซอฟท์แวร์ก่อนเป็นลำดับแรก แต่ถ้าไม่ได้ผลลัพธ์ที่น่าพอใจก็อาจจะหันไปเลือกใช้ “Radiating Pipe” หรือระบบท่อทองแดงในการช่วยระบายความร้อนออกมาจากตัวชิปเซ็ตเพิ่มเติมเข้าไป โดยชิปเซ็ต Snapdragon 820 ของ Qualcomm นั้นได้รับการคาดหมายว่าจะเพิ่มประสิทธิภาพการประมวลผลขึ้นถึง 40-50 เปอร์เซ็นต์ และใช้พลังงานลดลง 40 เปอร์เซ็นต์ เมื่อเปรียบเทียบกับชิปเซ็ตในปีที่ผ่านมาอย่าง Snapdragon 810
ซึ่งถ้าปัญหาความร้อนสะสมที่มากเกินไปจนยากต่อการรับมือก็อาจจะทำให้เกิดปัญหาต่ออุตสาหกรรมโทรศัพท์ขึ้นต่อเนื่องเป็นปีที่สอง และอาจจะแย่หรือต้องเลื่อนกำหนดการเปิดตัวหลายๆ รุ่น หรือหันไปใช้ชิปเซ็ตตัวรองเข้ามาทดแทนเหมือนกับในกรณี Snapdragon 808 ที่เข้ามากอบกู้สถานการณ์ไว้ได้บางส่วน และแน่นอนว่าสถานภาพทางการเงินและความเชื่อมั่นต่อผลิตภัณฑ์ของ Qualcomm เองก็จะได้รับผลกระทบตามกันไปด้วย
