ในโลกอุตสาหกรรมสมาร์ทโฟนการแข่งขันนั้นดูเหมือนว่าจะเกิดขึ้นอยู่อย่างต่อเนื่อง ก้าวย่างการผลักดันความพร้อมสู่เทคโนโลยีใหม่ ที่ตอบสนองความต้องการของผู้บริโภคได้มากขึ้นเกิดขึ้นอย่างสม่ำเสมอ ซึ่งอ้างอิงจากการเปิดเผยล่าสุดนั้น ระบุว่าชิปหน่วยความจำประเภท Universal Flash Storage 2.1 กำลังจะเปิดตัวทำตลาดด้วยขนาด 512GB เป็นครั้งแรกของวงการ
โดยอ้างอิงจากการเปิดเผยของ Silicon Motion บริษัทผู้ผลิตชุดระบบคอนโทรลเลอร์ในการควบคุมทำงานของหน่วยความจำ NAND Flash นั้นได้ประกาศตัวผลิตภัณฑ์รุ่นล่าสุด ที่สามารถรองรับการทำงานของหน่วยความจำได้สูงสุดที่ขนาด 512GB เป็นที่เรียบร้อยแล้ว ซึ่งการเพิ่มขนาดพื้นที่ดังกล่าวนี้ก็จะยิ่งทำให้ประสิทธิภาพความเร็วในการอ่านและเขียนข้อมูลเร็วขึ้นไปอีกสามเท่าตัว
ปัจจุบันหน่วยความจำ UFS วัดค่าประสิทธิภาพการอ่านได้อยู่ที่ 19,000 IOPS และเขียนอยู่ที่ 14,000 IOPS และถ้าหากเพิ่มขนาดการใช้งานไปถึง 512GB ในอนาคตก็จะทำความเร็วได้ 50,000/40,000 IOPS เลยทีเดียว เรียกได้ว่าระบบการทำงานจะเร็วขึ้นอีกมาก เนื่องจากหน่วยความจำ Flash จะทำงานได้ที่ความเร็วสูงกว่าเมื่อพื้นที่ใช้สอยเยอะขึ้น
