รายละเอียดอย่างเป็นทางการของชิปเซ็ต Snapdragon 835 หน่วยประมวลผลรุ่นล่าสุดจาก Qualcomm นั้นได้ถูกเปิดเผยออกมาเป็นที่เรียบร้อย ในช่วงสัปดาห์นี้ที่มีการจัดงานแสดงสินค้าและเทคโนโลยีใหม่ประจำรอบต้นปี 2017 บนเวที Consumer Electronics Show ซึ่งก็มีรายละเอียดเกี่ยวกับด้านประสิทธิภาพต่างๆ ให้ได้รับชมกัน
โดยในหน่วยประมวลผลเรือธงจาก Qualcomm ประจำปีนี้ ใช้การทำงานแบบ Octa-core เป็นหัวใจหลักในการขับคลื่น เช่นเดียวกับอดีตชิปเรือธงอย่าง Snapdragon 810 แต่เชื่อว่าจะไม่เกิดเหตุการณ์ซ้ำรอยความปั่นป่วนเดิม เมื่อชิปใหม่อย่าง Snapdragon 835 ใช้เทคโนโลยีกระบวนการผลิตที่ขนาด 10 นาโนเมตร เล็กลงสองเท่าตัวจากเมื่อสองปีก่อน ถูกออกแบบให้บริหารจัดการพลังงานได้อย่างมีประสิทธิภาพมากขึ้นอีก 40 เปอร์เซ็นต์ ใช้พลังงานเฉลี่ยน้อยกว่า Snapdragon 801 ลงไปได้ถึง 50 เปอร์เซ็นต์
ประสิทธิภาพการทำงานที่ดีขึ้นกว่า Snapdragon 820 อีกราวๆ 27 เปอร์เซ็นต์ ด้วยการทำงานของแกนประมวลผล Kyro 280 ที่ถูกแบ่งออกเป็น 4 แกนสำหรับงานประมวลผลที่ต้องการกำลังใช้งานมาก ทำงานด้วยความเร็ว 2.45GHz ในขณะที่การใช้งานทั่วไปจะใช้งานหน่วยประมวลผลอีก 4 แกน ทำงานด้วยความเร็ว 1.9GHz ในแง่ของชิปเซ็ตกราฟฟิค Adreno 540 สนับสนุนการประมวลผลภาพและสีสันได้เร็วขึ้น เช่นเดียวกับการใช้งานแฟลตฟอร์มเทคโนโลยีประมวลผล Daydream VR อย่างเต็มรูปแบบ
ระบบ Quick Charge 4.0 ทำงานได้อย่างมีประสิทธิภาพและประจุไฟได้รวดเร็วกว่าเทคโนโลยีปีก่อนอย่างน้อย 20 เปอร์เซ็นต์ ในระบบกล้องสนับสนุนการทำงานกล้องเซ็นเซอร์เดี่ยวได้ที่ความละเอียดสูงสุด 32 ล้านพิกเซล และสนับสนุนการประมวลผลกล้องเซ็นเซอร์คู่ได้สูงสุดที่ความละเอียด 16 ล้านพิกเซล การบันทึกและเล่นวีดีโอทำงานได้เต็มความละเอียด 2160×3840 พิกเซล สนับสนุนการใช้งานเครือข่าย Wi-Fi 802.11AC / AD รองรับความเร็วเครือข่ายสูงสุด 1Gbps ด้วยเทคโนโลยีโมเด็ม X16 LTE
